中微公司2024年业绩再次提高，四季度延续了前三季度的高增长，主要产品刻蚀设备保持竞争优势，薄膜设备不断突破，另一方面公司在高端照明和显示领域的设备不断升级，围绕集成电路前道工序开拓新设备品类，呈平台化发展趋势。
1月15日，中微公司(688012.SH)发布的业绩预告显示，2024年预估实现营业收入90.65亿元、扣非归母净利润12.80亿-14.30亿元，分别同比增长44.73%和7.43%-20.02%。中微公司以刻蚀机和薄膜设备为主打产品，2024年刻蚀设备同比增长54.71%，薄膜设备中，MOCVD(新型气相外延生长技术)设备同比下降18.11%，LPCVD(低压力化学气相沉积法)薄膜设备实现首台销售。
技术层面上，中微公司的等离子刻蚀设备技术能力已经达到5nm及以下；产能方面，固定资产规模大幅提高，生产及研发基地不断扩张。公司预计2025年或有10余类薄膜沉积设备产品交付客户，顺应下游的需求增长，扩大在主要客户产品线上的占有率，订单及业绩增速有望保持高位。
收入增长迅速
分类型看，2024年，中微公司刻蚀设备销售72.76亿元，同比增长54.71%；MOCVD设备销售3.79亿元，同比下降18.11%；LPCVD薄膜设备2024年实现首台销售，收入达1.56亿元。
中微公司针对芯片制造中关键工艺的高端产品不断获得市场认可，多款新产品形成重复订单，成为收入增长的重要引擎。例如，LPCVD薄膜设备2024年累计出货超100个反应台。2019-2023年，公司营收由19.47亿元增长至62.64亿元，复合增长率超过30%，扣非归母净利润由1.48亿元增长至11.91亿元，复合增长率超过60%。
2024年前三季度的生产及发货状况均反映公司在手订单充足，支撑后续营收的快速增长。截至2024年三季度末，公司存货和合同负债分别为78.22亿元和29.88亿元，同比分别增长91.18%和118.82%。前三季度生产专用设备1160腔，同比增长310%，对应产值约94.19亿元，同比增长287%；新增订单为76.4亿元，同比增长约52%，其中刻蚀设备新增订单62.5亿元，同比增长约54.7%，新产品LPCVD新增订单3亿元，开始启动放量。
中微公司2024年业绩再次提高，四季度延续了前三季度的高增长，主要产品刻蚀设备保持竞争优势，薄膜设备不断突破，另一方面公司在高端照明和显示领域的设备不断升级，围绕集成电路前道工序开拓新设备品类，呈平台化发展趋势。
1月15日，中微公司(688012.SH)发布的业绩预告显示，2024年预估实现营业收入90.65亿元、扣非归母净利润12.80亿-14.30亿元，分别同比增长44.73%和7.43%-20.02%。中微公司以刻蚀机和薄膜设备为主打产品，2024年刻蚀设备同比增长54.71%，薄膜设备中，MOCVD(新型气相外延生长技术)设备同比下降18.11%，LPCVD(低压力化学气相沉积法)薄膜设备实现首台销售。
技术层面上，中微公司的等离子刻蚀设备技术能力已经达到5nm及以下；产能方面，固定资产规模大幅提高，生产及研发基地不断扩张。公司预计2025年或有10余类薄膜沉积设备产品交付客户，顺应下游的需求增长，扩大在主要客户产品线上的占有率，订单及业绩增速有望保持高位。
收入增长迅速
分类型看，2024年，中微公司刻蚀设备销售72.76亿元，同比增长54.71%；MOCVD设备销售3.79亿元，同比下降18.11%；LPCVD薄膜设备2024年实现首台销售，收入达1.56亿元。
中微公司针对芯片制造中关键工艺的高端产品不断获得市场认可，多款新产品形成重复订单，成为收入增长的重要引擎。例如，LPCVD薄膜设备2024年累计出货超100个反应台。2019-2023年，公司营收由19.47亿元增长至62.64亿元，复合增长率超过30%，扣非归母净利润由1.48亿元增长至11.91亿元，复合增长率超过60%。
2024年前三季度的生产及发货状况均反映公司在手订单充足，支撑后续营收的快速增长。截至2024年三季度末，公司存货和合同负债分别为78.22亿元和29.88亿元，同比分别增长91.18%和118.82%。前三季度生产专用设备1160腔，同比增长310%，对应产值约94.19亿元，同比增长287%；新增订单为76.4亿元，同比增长约52%，其中刻蚀设备新增订单62.5亿元，同比增长约54.7%，新产品LPCVD新增订单3亿元，开始启动放量。
从历年三季报数据来看，中微公司的毛利率较为稳定，自2021年前三季度起毛利率保持在40%以上。盈利稳定的另一面，公司固定资产规模迅速扩大，2023年四季度之前，固定资产占资产总额的比例在3%左右，四季度末攀升至9.23%，2024年三季度末达到24.99亿元，占资产总额的比例为9.89%，产能布局提升显著；同时，固定资产周转率由2023年前三季度的9.21次下降至2024年前三季度的2.46次，产能尚未充分释放。
此外，财务指标反映出公司的实际运营策略正在发生变化，货币资金占资产总额的比例首次下降至30%以下，资金使用效率有所提高；净营业周期自2023年第一季度起首次超过400天，主要因存货周转天数拉长，但公司的资产减值损失变化不大，未大量计提存货跌价损失。
为应对外部风险，中微公司过去17年公司和美国设备企业及美国政府发生数次法律诉讼，四次胜诉，两次和解。
据公司公告，2024年12月，美国国防部正式将中微公司从中国军事企业清单(下称“清单”)中移除。
2024年1月，美国国防部曾将中微列入清单，8月中微公司发起诉讼维权，最终美国国防部在审查后作出撤销决定。2024年12月，美国商务部工业与安全局修订了对中国半导体出口管制措施新规则，中微公司在该次修订新规事件中未进入实体清单。
保持高研发强度
2024年，全球半导体销售额从2023年的5269亿美元增长至6112亿美元新高，增幅约为16%，据预测，2025年市场规模将进一步增长12.5%至6874亿美元。市场对中微公司开发多种新设备的需求快速增长，2024年公司显著加大研发力度，研发投入约24.50亿元，较上年增长94.13%，其中计入研发费用14.15亿元，占公司营业收入的比例为15.61%，较上年增加了2.57个百分点，处于公司的历史高位。
技术创新是半导体高端制造业的灵魂，中微公司目前在研发的薄膜沉积类产品一共有20多类，2023年已经付运客户端的设备有6类，2024年、2025年，公司会新增10余类产品交付客户。为推动供应链的稳定、安全，保持较高的设备交付率，公司还持续开发关键零部件供应商，销售额取得快速增长。
值得关注的是，公司2024年三季度末资产负债表中的资本化开发支出已积累至9.66亿元，未来转入无形资产后，摊销额会增加，减少利润，但在保持规模效益的前提下，影响相对可控。
公司在新产品开发方面取得了成效，近两年新开发的LPCVD薄膜设备已有多款进入市场，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI(外延)设备已顺利进入客户端量产验证阶段。
继2023年南昌生产和研发基地投入使用后，中微公司在上海临港约18万平方米的生产和研发基地于2024年8月正式投入使用，约10万平方米的总部大楼暨研发中心尚在建设。相对于1700余人的历史员工规模来说，环境相对宽松，未来生产运营管理、成本费用控制需持续加强。
2023年，公司的人均创收和创利分别为364万元和104万元，人均创利处于行业较高水平。中微公司采取了股权激励等措施留住人才，2020年、2022年、2023年和2024年，公司均制定了第二类限制性全民掼蛋网激励计划，授予价格分别为每股150元、50元、50元和76.10元。特别在近三年，激励对象人数占比超过90%。
扩品类谋增长
中微公司的等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。薄膜沉积设备如期完成多道工艺验证，更多应用正在验证当中，部分产品已收到客户重复订单。
刻蚀环节根据控制技术的不同，干法刻蚀主要包括电感耦合等离子体(下称“ICP”)刻蚀和电容耦合等离子体(下称“CCP”)刻蚀等类型。公司生产的设备已在28nm以上的绝大部分CCP刻蚀、28nm及以下的大部分CCP刻蚀中得到应用；ICP刻蚀方面，公司针对60多条客户的生产线实现量产，覆盖逻辑、功率、电源管理、微电机系统等芯片和器件，还用于生产DRAM和3DNAND存储芯片。
国际上先进芯片制程从7-5nm阶段向更先进工艺方向迈进，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺进行曝光。
该技术路线的外部效应扩散至照明及显示领域，利用刻蚀工艺能够实现更精细的照明、更优质的显示效果。
薄膜设备在发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场的应用发展迅速，这些器件所需的MOCVD设备是最重要的核心设备。与集成电路在很多种设备、很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且MOCVD设备的大部分市场在中国本土。
中微公司开发的碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、Micro-LED等器件所需的多类MOCVD设备取得了良好进展，已进入验证阶段，后续有望规模化生产。值得一提的是，公司该类MOCVD设备的市占率超70%，在行业领先客户的生产线上大规模使用；Mini-LED显示所用的MOCVD设备亦成为国内外绝大多数LED生产线的主流设备。
和大多数平台型设备制造商类似，中微公司的产品开发范畴还在扩张。公司通过投资布局了光学检测设备板块，并计划开发电子束检测设备，不断扩大对多种检测设备的覆盖。随着微观器件越做越小，检测设备的市场地位有所提高，增长速度很快，成为前道工序第四大设备门类，占半导体设备市场总额约11%。
产品交付目前依赖位于南昌和上海临港的生产、研发基地，公司计划于2025-2030年期间投资约30.5亿元成立成都子公司，建设研发中心、生产基地及配套设施。该项目面向高端逻辑及存储芯片，开展化学气相沉积设备、原子层沉积设备及其他关键设备的研发和生产工作。项目总投资约30.5亿元，计划于2025年开工，2027年投入生产，预计2030年年销售额达10亿元。
